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來源:環(huán)球時報
【環(huán)球時報駐韓國特約記者 丁玲】據(jù)韓媒報道,韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外(EUV)光刻機出口相關(guān)限制,對其中國半導體工廠進行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為,隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升,一些韓國芯片企業(yè)準備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。
韓國《首爾經(jīng)濟》13日的報道援引韓國業(yè)內(nèi)人士的話稱,SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術(shù)升級”的消息,SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,產(chǎn)量約占其DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。報道認為,SK海力士對無錫工廠進行技術(shù)升級并不容易,因為美國為阻止中國半導體產(chǎn)業(yè)崛起,從2019年開始單方面限制制造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。
報道稱,隨著全球半導體市場進入復蘇,SK海力士認為高性能芯片產(chǎn)能擴張已經(jīng)刻不容緩,需要10納米級第四代DRAM或更高版本產(chǎn)品來維持其市場份額。SK海力士總裁郭魯正出席CES展會時表示:“我們自去年以來就地緣政治問題組建了內(nèi)部工作組,相信企業(yè)風險由此得到很大程度的緩解?!?/p>
中國半導體產(chǎn)業(yè)水平迅速提升引發(fā)韓媒高度關(guān)注。韓聯(lián)社12日稱,投資銀行巴克萊的分析師在一份報告中稱,中國半導體制造商比外界所認為的要“多得多”。瑞銀集團近期的一份報告稱,雖然美國正用各種方式阻止中國半導體崛起,但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業(yè)正在加強對主要半導體制造設(shè)備的采購以增加供應(yīng)。去年包括荷蘭阿斯麥集團在內(nèi)的國際半導體設(shè)備生產(chǎn)商來自中國的訂單激增。